专利

专利名称：隧道场效应晶体管及其制作方法
专利号：201410136576.0
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-04-04
专利名称：一种降低晶圆报废率的方法
专利号：201410136511.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-04-04
专利名称：晶体管的形成方法
专利号：201410155750.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-04-17
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201410113838.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-03-25
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201410184447.9
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-04
专利名称：电互连结构及其形成方法
专利号：201410113767.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-03-25
专利名称：ELECTRICAL INTERCONNECTION STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：14/657,465
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-03-13
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201410230793.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-28
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201410184869.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-04
专利名称：半导体装置及其制造方法
专利号：201410421826.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-08-26
专利名称：METHOD TO FORM A CYLINDRICAL GERMANIUM NANOWIRE DEVICE ON BULK SILICON SUBSTRATE
专利号：14/571,287
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-12-16
专利名称：半导体装置及其制造方法
专利号：201410421827.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-08-26
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201410184886.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-04
专利名称：半导体装置及其制造方法
专利号：201410500240.8
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2014-09-26
专利名称：互连结构的形成方法和一种半导体结构
专利号：201410230783.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-05-28
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