专利

专利名称：倒装芯片的测试结构、倒装芯片和倒装芯片的制作方法
专利号：201310298103.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-07-16
专利名称：一种用于检测半导体制程状态的检测结构
专利号：201420072327.5
专利权人：SMIC(BJ)
时间：2014-02-19
专利名称：一种接合焊盘结构
专利号：201310482869.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-10-15
专利名称：电熔丝结构
专利号：201310338360.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-08-05
专利名称：检测结构及检测方法
专利号：201310439124.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-09-24
专利名称：集成电路中可靠性分析的测试结构及其测试方法
专利号：201310284563.3
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-07-08
专利名称：半导体测试结构
专利号：201310442521.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-09-24
专利名称：等离子损伤测试结构以及等离子损伤测试方法
专利号：201310285549.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-07-08
专利名称：静电放电保护结构
专利号：201310259916.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-06-26
专利名称：一种TDDB的测试结构及其测试方法
专利号：201310335567.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-08-02
专利名称：电熔丝结构
专利号：201310315333.9
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-07-24
专利名称：一种测试结构失效分析方法
专利号：201310413335.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-09-11
专利名称：存储阵列中的MOS管阈值电压的测试方法
专利号：201310425323.0
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2013-09-17
专利名称：METHOD OF MEASURING THRESHOLD VOL TAGE OF MOS TRANSISTOR IN SRAM ARRAY
专利号：14/229,915
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2014-03-30
专利名称：一种纳米相变ESD器件、纳米相变ESD结构及其制备方法
专利号：201310275444.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-07-02
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