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专利
专利名称:
无氮介电抗反射薄膜的制作方法
专利号:
201210050770.8
专利权人:
时间:2012-02-28
专利名称:
一种新的调节HDP PSG flower pattern的方法
专利号:
201210009089.9
专利权人:
时间:2012-01-12
专利名称:
减小热载流子注入损伤的MOS器件制作方法
专利号:
201210081226.x
专利权人:
时间:2012-03-23
专利名称:
减小热载流子注入损伤的侧墙刻蚀方法
专利号:
201210081215.1
专利权人:
时间:2012-03-23
专利名称:
一种避免双刻蚀阻挡层引起的接触孔不通的方法
专利号:
201110298921.7
专利权人:
时间:2011-09-29
专利名称:
一种多台光刻设备校正方法
专利号:
201210047391.3
专利权人:
时间:2012-02-28
专利名称:
一种检测光刻机焦距偏移的方法
专利号:
201210014990.5
专利权人:
时间:2012-01-18
专利名称:
一种利用上掩膜实现高性能铜互连的方法
专利号:
201210014964.2
专利权人:
时间:2012-01-18
专利名称:
一种利用上掩膜实现高性能铜互连的方法
专利号:
201210014976.5
专利权人:
时间:2012-01-18
专利名称:
一种使用金属硬掩膜提高STI特性的方法
专利号:
201210066500.6
专利权人:
时间:2012-03-14
专利名称:
一种消除铜互连结构中铜凸起缺陷的方法
专利号:
201210014801.4
专利权人:
时间:2012-01-18
专利名称:
较小等离子损伤的高密度等离子体沉积方法
专利号:
201210014804.8
专利权人:
时间:2012-01-18
专利名称:
减小双层前金属介电质层开裂现象的方法
专利号:
201210014805.2
专利权人:
时间:2012-01-18
专利名称:
一种减小双层前金属介电质层开裂现象的方法
专利号:
201210014802.9
专利权人:
时间:2012-01-18
专利名称:
制备双大马士革结构的方法
专利号:
201210014790.X
专利权人:
时间:2012-01-18
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