专利

专利名称：一种无损铜后道可靠性测试工艺
专利号：201210066522.2
专利权人：
时间：2012-03-14
专利名称：一种减小半导体器件热载流子注入损伤的方法
专利号：201110265237.9
专利权人：
时间：2011-09-08
专利名称：一种减小半导体器件热载流子注入损伤的方法
专利号：201110265219.0
专利权人：
时间：2011-09-08
专利名称：一种减小半导体器件热载流子注入损伤的方法
专利号：201110265231.1
专利权人：
时间：2011-08-29
专利名称：一种CMOS镍硅化物和金属欧姆接触工艺的制备方法
专利号：201110307981.0
专利权人：
时间：2011-10-12
专利名称：提高多次曝光稳定性的栅极返工工艺
专利号：201110386917.6
专利权人：
时间：2011-11-29
专利名称：一种双大马士革的集成方法
专利号：201110265235.X
专利权人：
时间：2011-09-08
专利名称：去除冗余金属填充层的工艺方法（2）
专利号：201110328111.1
专利权人：
时间：2011-10-25
专利名称：去除冗余金属填充层的工艺方法（1）
专利号：201110328098.x
专利权人：
时间：2011-10-25
专利名称：超低介电材料的化学机械抛光方法
专利号：201110355637.9
专利权人：
时间：2011-11-10
专利名称：超低介电材料的化学机械抛光方法
专利号：201110301250.5
专利权人：
时间：2011-09-28
专利名称：一种集成多种量测用途图形的设计
专利号：201110310582.X
专利权人：
时间：2011-10-14
专利名称：金属铜大马士革互联结构的制造方法
专利号：201110274610.7
专利权人：
时间：2011-09-15
专利名称：金属铜大马士革互联结构的制造方法
专利号：201110274227.1
专利权人：
时间：2011-09-15
专利名称：一种用于氧化硅/氮化硅双保护层的浅沟槽隔离的集成方法（2）
专利号：201110255996.7
专利权人：
时间：2011-08-31
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