专利

专利名称：一种用于氧化硅/氮化硅双保护层的浅沟槽隔离的集成方法（1）
专利号：201110255766.0
专利权人：
时间：2011-08-31
专利名称：金属互连结构形成方法
专利号：201110270171.2
专利权人：
时间：2011-09-13
专利名称：金属层冗余金属填充的制作工艺（4）
专利号：201110255759.0
专利权人：
时间：2011-08-31
专利名称：金属层冗余金属填充的制作工艺（3）
专利号：201110255990.X
专利权人：
时间：2011-08-31
专利名称：金属层冗余金属填充的制作工艺（2）
专利号：201110255757.1
专利权人：
时间：2011-08-31
专利名称：金属层冗余金属填充的制作工艺（1）
专利号：201110255756.7
专利权人：
时间：2011-08-31
专利名称：一种对包含氮化硅的刻蚀硬掩膜层的刻蚀方法
专利号：201110250241.8
专利权人：
时间：2011-08-29
专利名称：一种改善PMOS IO器件GIDL的方法
专利号：201110366266.4
专利权人：
时间：2011-11-17
专利名称：纳米级多叉指射频CMOS模型及其提取方法
专利号：201110341140.1
专利权人：
时间：2011-11-02
专利名称：一种使用HM提高STI特性的方法
专利号：201110328075.9
专利权人：
时间：2011-10-25
专利名称：确定光刻工艺窗口的方法
专利号：201110250279.5
专利权人：
时间：2011-08-29
专利名称：具有金属前介质填充结构的半导体器件及其制备方法
专利号：201110274490.0
专利权人：
时间：2011-09-15
专利名称：一种第一层铜互连的制作方法
专利号：201110310442.2
专利权人：
时间：2011-10-14
专利名称：一种改善STI衬底制程中小球状缺陷的方法
专利号：201110310444.1
专利权人：
时间：2011-10-14
专利名称：一种用于双刻蚀阻挡层技术的工艺集成方法
专利号：201110250268.7
专利权人：
时间：2011-08-29
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