专利
专利名称：一种预防刻蚀阻挡层开裂的结构及形成该结构的方法
专利号：201110235258.6
专利名称：单一厚度栅氧层实现多级工作电压半导体器件及制备方法
专利号：201110250267.2
专利名称：单一厚度栅氧化层实现多级工作电压的CMOS器件及制备方法
专利号：201110265327.8
专利名称：一种STI结构CMP方法以及STI结构制作方法
专利号：201110250266.8
专利名称：一种实现两种不同绝缘层厚度电容的集成方法
专利号：201110235259.0
专利名称：一种有助于消除倒U形镍硅化物的器件结构及其制备工艺
专利号：201110222302.X
专利名称：一种利用侧向边墙技术提高STI凹陷区特性的方法
专利号：201110265265.0
专利名称：减少化学机械研磨后铜互连结构材料损伤的方法
专利号：201110250277.6
专利名称：一种新型的利用曝光后烘烤的OPC模型检验光刻工艺的方法
专利号：201110250286.5
专利名称：一种根据不同衬底进行光学临近修正的方法
专利号：201110265304.7
专利名称：一种通孔关键尺寸检测版图的优化方法
专利号：201110235260.3
专利名称：一种提高硅片金属层图形密度均一性的方法
专利号：201110341138.4
专利名称：一种改进逻辑工艺中硅损失的多晶硅退火方法
专利号：201110265266.5
专利名称：一种降低接触孔的接触电阻的制造方法
专利号：201110250273.8
专利名称：一种降低通孔电阻的金属互联结构及其形成方法
专利号：201110235264.1
