专利

专利名称：一种降低接触孔电阻的接触孔形成方法
专利号：201110265284.3
专利权人：
时间：2011-09-08
专利名称：一种降低接触孔电阻的接触孔结构形成方法
专利号：201110265285.8
专利权人：
时间：2011-09-08
专利名称：一种新的接触孔的制造方法
专利号：201110265269.9
专利权人：
时间：2011-09-08
专利名称：一种防止酸槽清洗空洞形成的半导体器件及其制备方法
专利号：201110250270.4
专利权人：
时间：2011-08-29
专利名称：一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺
专利号：201110356287.8
专利权人：
时间：2011-11-11
专利名称：一种新的硅化物和金属前介质集成工艺及该形成的结构
专利号：201110250281.2
专利权人：
时间：2011-08-29
专利名称：一种用于检测金属前介质填充能力的器件结构
专利号：201110314328.7
专利权人：
时间：2011-10-17
专利名称：一种调节浅槽隔离垫层氧化膜厚度的方法
专利号：201110235261.8
专利权人：
时间：2011-08-17
专利名称：一种避免光阻变性的无氮碳化硅薄膜工艺
专利号：201110266443.1
专利权人：
时间：2011-09-09
专利名称：用于高、低压器件的多晶硅栅电极集成工艺
专利号：201110194223.2
专利权人：
时间：2011-07-12
专利名称：一种不同多晶硅栅电极厚度的集成工艺
专利号：201110206448.5
专利权人：
时间：2011-07-22
专利名称：一种改进的硬质掩膜与多孔低介电常数值材料的集成方法
专利号：201110266463.9
专利权人：
时间：2011-09-09
专利名称：一种改进的干法刻蚀腔体
专利号：201110222147.1
专利权人：
时间：2011-08-04
专利名称：一种改善PMOS器件载流子迁移率的方法
专利号：201110222150.3
专利权人：
时间：2011-08-04
专利名称：一种改善NMOS器件载流子迁移率的方法
专利号：201110222138.2
专利权人：
时间：2011-08-04
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