专利

专利名称：增强应力记忆技术效果的方法
专利号：201110232262.7
专利权人：
时间：2011-08-15
专利名称：一种提高光刻胶与金属/金属化合物表面之间粘附力的方法
专利号：201110206446.6
专利权人：
时间：2011-07-22
专利名称：一种用于栅极相关制程及其后续制程监控的测试器件结构的其制备工艺
专利号：201110222149.0
专利权人：
时间：2011-08-04
专利名称：多孔低介电常数介质干法刻蚀速率过慢的解决方法
专利号：201110206531.2
专利权人：
时间：2011-07-22
专利名称：集成电路钝化层的制造方法及结构
专利号：201110123638.0
专利权人：
时间：2011-05-13
专利名称：消除栅极凹形缺陷的方法
专利号：201110150717.0
专利权人：
时间：2011-06-07
专利名称：集成电路钝化层及其制造方法
专利号：201110110174.X
专利权人：
时间：2011-04-29
专利名称：一种刻蚀腔体清除记忆效应的方法
专利号：2011101336124.0
专利权人：
时间：2011-05-23
专利名称：一种深沟槽氧化物刻蚀改进工艺
专利号：201110150719.X
专利权人：
时间：2011-06-07
专利名称：一种侧墙硬掩模接触孔/通孔刻蚀技术
专利号：201110110219.3
专利权人：
时间：2011-04-29
专利名称：一种有效的测试浅沟槽隔离填充能力的测试结构
专利号：201110133615.8
专利权人：
时间：2011-05-23
专利名称：一种改善半导体自动对准镍硅化物热稳定性的工艺方法
专利号：201110206424.X
专利权人：
时间：2011-07-22
专利名称：对光掩膜设计版图进行光学临近修正的方法和装置
专利号：201110386506.7
专利权人：
时间：2011-11-28
专利名称：一种增强氮化硅薄膜张应力的方法
专利号：201110150722.1
专利权人：
时间：2011-06-07
专利名称：一种用于双刻蚀阻挡层技术的应变硅工艺制作方法
专利号：201110150724.0
专利权人：
时间：2011-06-07
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