专利

专利名称：一种用于双刻蚀阻挡层技术的应变硅工艺集成方法
专利号：201110099265.8
专利权人：
时间：2011-04-20
专利名称：一种减小双大马士革工艺中金属布线层层间电容的方法
专利号：201110356280.6
专利权人：
时间：2011-11-11
专利名称：具有部分冗余通孔的集成电路制作方法及集成电路
专利号：201110386296.1
专利权人：
时间：2011-11-28
专利名称：具有部分冗余通孔的集成电路制作方法及集成电路
专利号：201110386297.6
专利权人：
时间：2011-11-28
专利名称：具有部分冗余通孔的集成电路制作方法及集成电路
专利号：201110386112.1
专利权人：
时间：2011-11-28
专利名称：敏感光阻耐受程度检测方法及晶圆缺陷检验方法
专利号：201110272691.7
专利权人：
时间：2011-09-15
专利名称：一种利用P型离子注入形成双深度隔离沟道的方法
专利号：201110222125.5
专利权人：
时间：2011-08-04
专利名称：一种利用N型离子注入形成双深度隔离沟道的方法
专利号：201110222151.8
专利权人：
时间：2011-08-04
专利名称：金属硅化物阻挡层和应力记忆层共用制程
专利号：201110250263.4
专利权人：
时间：2011-08-29
专利名称：一种利用光刻胶固化作用减少阱邻近效应的制程
专利号：201110194150.7
专利权人：
时间：2011-07-12
专利名称：通过离子注入工艺来控制氧化膜厚度的方法
专利号：201110183452.4
专利权人：
时间：2011-07-01
专利名称：集成在前道工艺中的硅片背面氮化硅成长方法
专利号：201110183456.2
专利权人：
时间：2011-07-01
专利名称：氮化硅-二氧化硅-氮化硅阻挡层的浅沟槽隔离刻蚀方法
专利号：201110183430.8
专利权人：
时间：2011-07-01
专利名称：设置顶部刻蚀阻挡层以增加接触孔刻蚀制程窗口的方法
专利号：201110160287.0
专利权人：
时间：2011-06-15
专利名称：一种优化的多晶栅极氧化硅硬质掩膜去除方法
专利号：201110194153.0
专利权人：
时间：2011-07-12
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