专利
专利名称：一种光刻胶三维刻蚀过程模拟的改进快速推进方法
专利号：201110065443.5
专利名称：绝缘衬底上厚膜硅材料残余应力测试结构
专利号：201510010516.9
专利名称：绝缘衬底上厚膜硅材料杨氏模量测试结构
专利号：201510010411.3
专利名称：绝缘衬底上厚膜硅材料泊松比测试结构
专利号：201510009655.X
专利名称：金属薄膜材料杨氏模量测试结构
专利号：201510010179.3
专利名称：薄膜材料断裂强度的测试结构
专利号：201510010385.4
专利名称：薄膜材料杨氏模量测试结构及方法
专利号：201410243633.5
专利名称：多晶硅薄膜材料杨氏模量测试结构及方法
专利号：201410243632
专利名称：绝缘衬底上薄膜硅材料残余应力测试结构
专利号：201410243543.6
专利名称：薄膜材料残余应力测试结构及方法
专利号：201410243181.0
专利名称：薄膜材料泊松比测试结构及方法
专利号：201410243090.7
专利名称：绝缘衬底上薄膜硅材料杨氏模量测试结构及方法
专利号：20141024784.9
专利名称：一种具有温漂补偿的电容湿度传感器及其制作方法
专利号：ZL 201110456757.8
专利名称：一种低温漂压阻湿度传感器及其制作方法
专利号：ZL 201110447498.2
专利名称：一种微机械温度传感器结构
专利号：ZL 201110447508.2
