专利
专利名称：热载流子注入退化性能的评估方法
专利号：201210405328.2
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2012-10-22
专利名称：确定热载流子注入应力测试条件的方法
专利号：201110383885.4
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-11-25
专利名称：一种应变硅NMOS器件的制造方法
专利号：201110259901.9
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-09-05
专利名称：CMOS影像传感器及其制造方法
专利号：201110164988.1
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-06-17
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
专利号：14/402,303
专利名称：ETCHING METHOD
专利号：15/299,169
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME
专利号：14/688,523
专利名称：METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
专利号：14/838,628
专利名称：Methods for forming metal silicide
专利号：14/812,490
专利名称：METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCNTOR DEVICE
专利号：14/698,624
专利名称：semiconductor Device and method for manufacturing the same
专利号：14/696,616
专利名称：METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
专利号：14/725,496
专利名称：METHOD FOR MANUFACURING SEMICONDUCTOR DEVICE
专利号：14/725,666
专利名称：CMOS Device and method for manufacturing the same
专利号：14/721,386
专利名称：METHODS FOR MANUFACURING SEMICONDUCTOR DEVICES
专利号：14/662,963
