专利

专利名称：一种后栅工艺MOS器件的制备方法
专利号：201610166118
专利权人：微电子所
时间：2016-03-22
专利名称：MEMS器件中的拱形结构及其制造方法、MEMS器件
专利号：201610115279.7
专利权人：微电子所
时间：2016-03-01
专利名称：一种化学机械抛光的平坦化方法
专利号：201610299202.X
专利权人：微电子所
时间：2016-05-06
专利名称：一种刻蚀方法
专利号：201510996470.2
专利权人：微电子所
时间：2015-12-25
专利名称：半导体器件的制造方法
专利号：201510351481.5
专利权人：微电子所
时间：2015-06-23
专利名称：一种半导体器件的制造方法
专利号：201510292333
专利权人：微电子所
时间：2015-06-01
专利名称：半导体器件的制造方法
专利号：201510271246.7 
专利权人：微电子所
时间：2015-05-25
专利名称：半导体器件制造方法
专利号：201510011121.X
专利权人：微电子所
时间：2015-01-09
专利名称：半导体器件制造方法
专利号：201410685729.7
专利权人：微电子所
时间：2014-11-25
专利名称：一种栅极及其形成方法
专利号：201510048272.3
专利权人：微电子所
时间：2015-01-29
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201410484648
专利权人：微电子所
时间：2014-09-19
专利名称：半导体器件制造方法
专利号：201410484165
专利权人：微电子所
时间：2014-09-19
专利名称：CMOS器件及其制造方法
专利号：201410484407.6
专利权人：微电子所
时间：2014-09-19
专利名称：半导体器件制造方法
专利号：201410459513.9
专利权人：微电子所
时间：2014-09-11
专利名称：半导体器件制造方法
专利号：201410454224.X
专利权人：微电子所
时间：2014-09-06
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