专利
专利名称：供料装置、离子源装置及供料方法
专利号：201510351381.2
专利名称：FinFET的掺杂方法
专利号：201510107481
专利名称：FinFET的掺杂方法
专利号：201510107483.X
专利名称：FinFET的掺杂方法
专利号：201510107549.5
专利名称：采用固态掺杂剂的离子源装置
专利号：201420711759.6
专利名称：采用固态掺杂剂的离子源装置
专利号：201410682208.6
专利名称：RF离子源装置
专利号：201410567634.5
专利名称：电子供应系统
专利号：201410418577.4
专利名称：多路控制电路
专利号：201420425026.6
专利名称：FinFET的掺杂方法
专利号：105114121
专利名称：鳍式场效应管的掺杂方法
专利号：104120710
专利名称：FinFET的掺杂方法
专利号：104114121
专利名称：FinFET的掺杂方法
专利号：PCT/CN2015/100058
专利名称：FinFET的掺杂方法
专利号：PCT/CN2015/070309
专利名称：一种离子注入机自动建立束线与靶室高真空的方法
专利号：201110452440.7
