专利

专利名称：通孔形成方法
专利号：201210063066.6
专利权人：ICRD
时间：2012-03-09
专利名称：用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构
专利号：201110459697.5
专利权人：ICRD
时间：2011-12-31
专利名称：半导体硅片的去胶工艺腔及去胶方法
专利号：201110457977.2
专利权人：ICRD
时间：2011-12-30
专利名称：光刻机
专利号：201110457377.6
专利权人：ICRD
时间：2011-12-30
专利名称：手持式免充电吸笔
专利号：201110401668.3
专利权人：ICRD
时间：2011-12-06
专利名称：一种金属薄膜电阻结构及其制造方法
专利号：201110321426.3
专利权人：ICRD
时间：2011-10-20
专利名称：干法刻蚀方法
专利号：201110186102.3
专利权人：ICRD
时间：2011-07-05
专利名称：等离子体处理装置及其温度测试装置
专利号：103121310
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2014-06-20
专利名称：等離子體處理腔室及其基台
专利号：103111046
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2014-03-25
专利名称：一种等离子体处理装置
专利号：103121311
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2014-06-20
专利名称：一种实现稳定测温的测温装置及其所在的半导体设备
专利号：103121312
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2014-06-20
专利名称：實現快速散熱的法拉第遮罩裝置及等離子體處理裝置
专利号：103111036
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2014-03-25
专利名称：间隔层双曝光刻蚀方法
专利号：103121313
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2014-06-20
专利名称：等离子体处理装置
专利号：103117718
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2014-05-28
专利名称：用於感應耦合等離子體腔室的氣體注入裝置
专利号：103121315
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2014-06-20
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