专利
专利名称：氣體傳輸裝置及其氣體分流裝置的測試方法
专利号：103101321
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2014-01-14
专利名称：一種在矽基底刻蝕通孔的方法
专利号：103103185
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2014-01-28
专利名称：用於等離子處理腔室的石英元件及等離子體處理設備
专利号：103102521
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2014-01-23
专利名称：等離子體處理裝置及調節基片邊緣區域製程速率的方法
专利号：102135125
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-09-27
专利名称：用於真空處理腔室的射頻脈衝功率匹配的方法及其裝置
专利号：103100720
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2014-01-08
专利名称：一種脈衝射頻輸出功率控制反應等離子體刻蝕的方法
专利号：102138745
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-10-25
专利名称：等離子反應器及製作半導體基片的方法
专利号：102138750
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-10-25
专利名称：半導體結構的刻蝕方法
专利号：102140586
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-11-07
专利名称：一種通孔或接觸孔的形成方法
专利号：102140584
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-11-07
专利名称：半導體刻蝕裝置及半導體刻蝕方法
专利号：102140582
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-11-07
专利名称：反应气体供给装置
专利号：102216186
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-08-28
专利名称：等離子體處理裝置
专利号：102130660
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-08-27
专利名称：一種增強低介電材料對ＴｉＮ硬掩模刻蝕選擇性的方法
专利号：102139821
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-11-01
专利名称：利用可切換功率發生器的高深寬比微結構刻蝕方法
专利号：102140583
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-11-07
专利名称：半導體刻蝕裝置及半導體結構的刻蝕方法
专利号：102140585
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-11-07