专利

专利名称：深矽通孔的刻蝕方法
专利号：102139823
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-11-01
专利名称：用於ＴＳＶ刻蝕中改善矽通孔側壁粗糙度的方法
专利号：102139827
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-11-01
专利名称：等離子體處理腔室及其射頻匹配電路
专利号：102220821
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-11-07
专利名称：用於等離子體處理器的磁場分佈調節裝置及其調節方法
专利号：102139829
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-11-01
专利名称：一種等離子體處理設備及其中的溫度隔離裝置
专利号：102137390
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-10-16
专利名称：等離子處理裝置的等離子處理方法
专利号：102137388
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-10-16
专利名称：用於真空處理裝置的氣體供應裝置及其氣體供應及切換方法
专利号：102133976
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-09-18
专利名称：靜電卡盤
专利号：102130662
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-08-27
专利名称：改善矽穿孔工藝中刻蝕均勻性的方法
专利号：102139815
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-11-01
专利名称：半導體結構的形成方法
专利号：101151256
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-28
专利名称：半導體結構的形成方法
专利号：101151252
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-28
专利名称：半導體結構的形成方法
专利号：101151248
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-28
专利名称：電容耦合等離子反應器及其控制方法
专利号：101151268
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-28
专利名称：法拉第遮罩裝置
专利号：101225583
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-28
专利名称：一種用於等離子體處理裝置的聚焦環
专利号：101225587
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-28
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