专利

专利名称：等离子体刻蚀方法
专利号：201310630208.7
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-11-29
专利名称：一种等离子体处理设备及其机台外罩
专利号：201310374499.8
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-08-23
专利名称：一种等离子体刻蚀基片的方法
专利号：201310330254.5
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-07-31
专利名称：一种等离子体去除光刻胶的方法
专利号：201310312175.1
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-07-23
专利名称：一种半导体处理装置的供气系统
专利号：201310574531.7
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-11-15
专利名称：反应腔结构及半导体等离子处理系统
专利号：201310564943.2
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-11-14
专利名称：气体输送装置及等离子体处理装置
专利号：201410608881.5
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2014-11-03
专利名称：一种晶圆边缘保护环及减少晶圆边缘颗粒的方法
专利号：201310569010.2
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-11-15
专利名称：用于等离子体处理的电极组件及其制造方法
专利号：201410122888.6
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2014-03-28
专利名称：一种等离子体处理腔室及其基台的制造方法
专利号：201410097630.5
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2014-03-17
专利名称：一种等离子体处理腔室及其基台
专利号：201410113448.4
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2014-03-25
专利名称：一种等离子体处理装置及静电卡盘与静电卡盘的制作方法
专利号：201410124425.3
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2014-03-28
专利名称：等离子体处理腔室及其静电夹盘的制造方法
专利号：201310727863.4
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-12-25
专利名称：等离子体处理腔室及其静电夹盘的制造方法
专利号：201310726396.3
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-12-25
专利名称：一种电感耦合型等离子处理器
专利号：201310751510.8
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-12-31
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