专利
专利名称：一种硅通孔刻蚀方法
专利号：201310753493.1
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-12-31
专利名称：一种气体供应装置及其等离子体反应装置
专利号：201310745217.0
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-12-30
专利名称：等离子体处理装置及静电卡盘与静电卡盘的制作方法
专利号：201310744220.0
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-12-30
专利名称：ICP等离子体处理腔室及其气体注入装置，硅通孔刻蚀方法
专利号：201310751344.1
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-12-31
专利名称：电感耦合型等离子体处理腔室及其抗腐蚀绝缘窗口及制造方法
专利号：201410222472.1
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2014-05-23
专利名称：等离子体处理腔室的清洁方法
专利号：201310745043.8
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-12-30
专利名称：等离子体处理装置及其静电卡盘
专利号：201310744229.1
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-12-30
专利名称：一种等离子体处理装置及其静电卡盘
专利号：201310745011.8
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-12-30
专利名称：等离子体处理腔室、气体喷淋头及其制造方法
专利号：201310688060.2
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-12-13
专利名称：等离子体处理装置及其基片直流偏置电压测量方法
专利号：201310695325.1
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-12-17
专利名称：电感耦合型等离子体处理腔室及其抗腐蚀绝缘窗口及制造方法
专利号：201310688135.7
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-12-13
专利名称：等离子体处理装置及等离子体处理方法
专利号：201310719118.5
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-12-23
专利名称：一种气体供应装置及其等离子体反应装置
专利号：201310692538.9
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-12-17
专利名称：可切换的射频功率源系统
专利号：201310596375.4
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-11-22
专利名称：一种等离子体处理腔室及其冷却装置
专利号：201310687365.1
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-12-13
