专利
专利名称：硅通孔刻蚀方法
专利号：201310347871.6
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-08-09
专利名称：等离子体处理装置及其射频屏蔽装置
专利号：201310183046.7
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-05-17
专利名称：硅通孔刻蚀方法
专利号：201310321218.2
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-07-26
专利名称：Bosch刻蚀方法
专利号：201310354670.9
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-08-14
专利名称：一种实现反应气体快速切换的等离子体反应室及其方法
专利号：201310140971.1
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-04-22
专利名称：一种静电吸盘及其供气方法
专利号：201310431436.1
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-09-22
专利名称：一种用于冷却静电吸盘的供气装置及供气方法
专利号：201310431420.0
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-09-22
专利名称：硅通孔的形成方法
专利号：201310743028.X
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-12-27
专利名称：等离子处理装置及其去夹持装置和方法
专利号：201310145466.6
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-04-24
专利名称：改善深孔硅刻蚀工艺的系统及刻蚀终点监测方法
专利号：201310193644.2
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-05-22
专利名称：等离子体处理装置及等离子体处理方法
专利号：201310436399.3
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-09-23
专利名称：等离子体装置内具有氧化钇包覆层的部件及其制造方法
专利号：201310234238.6
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-06-13
专利名称：静电吸盘的制造方法，静电吸盘及等离子体处理装置
专利号：201310228847.0
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-06-08
专利名称：等离子体刻蚀设备及刻蚀方法
专利号：201310222055.2
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-06-05
专利名称：一种减少门效应的等离子体处理装置
专利号：201310077322.1
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-03-12