专利
专利名称：设有可提高对称性的导气装置的泵以及等离子处理装置
专利号：201310640011.1
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-12-04
专利名称：等离子体处理的方法
专利号：201310436381.3
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-09-23
专利名称：一种等离子体反应室及其静电夹盘
专利号：201310140631.9
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-04-22
专利名称：一种多腔室等离子处理装置及其压力测试方法
专利号：201310143617.4
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-04-24
专利名称：一种等离子处理腔室及其基台
专利号：201310105805.8
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-03-28
专利名称：等离子体刻蚀系统的阻抗匹配方法
专利号：201310705224.8
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-12-19
专利名称：一种制备半导体反应腔室部件的方法及部件
专利号：201310140944.4
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-04-22
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201310376914.3
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-08-26
专利名称：电感耦合等离子体装置
专利号：201310128505.1
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-04-15
专利名称：硅片刻蚀方法
专利号：201310150615.8
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-04-26
专利名称：等离子体处理装置及其静电夹盘
专利号：201310128435.X
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-04-15
专利名称：气体供应装置及等离子体处理装置
专利号：201310128447.2
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-04-15
专利名称：一种通孔的刻蚀方法
专利号：201310139357.3
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-04-19
专利名称：等离子体处理装置
专利号：201310138892.7
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-04-19
专利名称：CMOS图像传感器的制造方法及其所用的刻蚀方法
专利号：201310051942.8
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-02-17