专利
专利名称：一种改进气体分布的等离子体反应器
专利号：201310052981.X
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-02-17
专利名称：用于等离子体处理装置的基片制程方法
专利号：201310057226.0
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-02-22
专利名称：一种等离子体刻蚀工艺的处理装置及方法
专利号：201310073717.4
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-03-08
专利名称：基片补偿刻蚀的方法
专利号：201310057688.2
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-02-22
专利名称：等离子体处理工艺的终点检测装置及方法
专利号：201310053655.0
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-02-19
专利名称：一种等离子处理装置的等离子处理方法
专利号：201310017595.7
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-01-17
专利名称：一种等离子处理装置及其处理方法
专利号：201310017593.8
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-01-17
专利名称：半导体基片处理系统
专利号：201220749488.4
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-31
专利名称：等离子体处理腔室及其静电夹盘以及基片温度控制方法
专利号：201310001226.9
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-01-05
专利名称：气体传输装置及其气体分流装置的测试方法
专利号：201310013461.8
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-01-15
专利名称：测试基片去夹持终点的方法
专利号：201310068404.X
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-03-04
专利名称：等离子体处理腔室的供气装置以及去夹持方法
专利号：201310068405.4
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-03-04
专利名称：多层介质刻蚀方法
专利号：201210594434.X
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-31
专利名称：特征尺寸收缩方法
专利号：201210593718.7
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-31
专利名称：一种电感耦合等离子装置
专利号：201210548861.4
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-17