专利

专利名称：用于加热等离子体处理腔室内基片温度的电路
专利号：201310002590.7
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-01-05
专利名称：光刻胶去除方法
专利号：201310039528.5
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-01-31
专利名称：等离子体处理腔室及电极
专利号：201220726922.7
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-25
专利名称：一种具有倾斜侧壁刻蚀孔的刻蚀方法
专利号：201210444565.X
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-11-08
专利名称：一种用于等离子体处理腔室的约束环及腔室清洁方法
专利号：201210506470.6
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-11-30
专利名称：一种在硅基底刻蚀通孔的方法
专利号：201310046733.4
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-02-05
专利名称：等离子体处理室及用于该等离子体处理室的气体注入装置
专利号：201210593652.1
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-31
专利名称：一种用于等离子处理腔室的石英组件及等离子体处理设备
专利号：201310034183.4
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-01-29
专利名称：在多频等离子体处理腔室中实现阻抗匹配的方法和装置
专利号：201210567553.6
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-24
专利名称：等离子体刻蚀方法
专利号：201210567790.2
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-24
专利名称：一种双射频脉冲等离子体的刻蚀方法及其刻蚀装置
专利号：201210594588.9
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-31
专利名称：一种用于等离子体处理腔室的射频能量控制方法
专利号：201210580994.X
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-27
专利名称：一种清洁等离子体反应腔侧壁的方法
专利号：201210553583.1
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-18
专利名称：多孔复合陶瓷部件、其制备方法以及等离子体处理腔室
专利号：201210593720.4
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-31
专利名称：一种等离子处理器及其运行方法
专利号：201210575968.8
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-26
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