专利
专利名称：一种耐腐蚀的气体喷淋头及其制作方法
专利号：201210553227.X
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-18
专利名称：用于半导体基片反应室内部的部件及制造方法
专利号：201210553611.X
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-18
专利名称：一种稳定脉冲射频的方法
专利号：201210567795.5
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-24
专利名称：内嵌实时内核的操作系统及内嵌方法
专利号：201310096332.X
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-03-25
专利名称：一种等离子反应器及其处理方法
专利号：201210445691.7
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-11-08
专利名称：一种安全输送冷却气体的装置
专利号：201220606309.1
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-11-16
专利名称：一种具有柔性关节的容器
专利号：201210575313.0
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-26
专利名称：一种等离子反应器
专利号：201220588184.4
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-11-08
专利名称：一种深硅通孔刻蚀方法
专利号：201210445649.5
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-11-08
专利名称：一种改善通孔侧壁形貌的方法
专利号：201210393966.7
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-10-17
专利名称：一种深孔硅刻蚀方法
专利号：201210528536.1
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-10
专利名称：等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法
专利号：201210378282.X
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-09-29
专利名称：一种可均匀调节表面温度的基片承载装置
专利号：201220483026.2
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-09-19
专利名称：一种改善等离子体刻蚀工艺的方法
专利号：201210384515.7
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-10-11
专利名称：一种改善侧壁条痕的刻蚀工艺及其装置
专利号：201210521264.2
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-06