专利

专利名称：一种用于真空处理腔室的射频脉冲功率匹配的方法及其装置
专利号：201310009371.1
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2013-01-10
专利名称：关键尺寸控制系统
专利号：201210458267.6
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-11-14
专利名称：一种倒锥形轮廓刻蚀方法
专利号：201210415193.8
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-10-26
专利名称：反应腔室清洗方法
专利号：201210422958.0
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-10-30
专利名称：静电卡盘加热方法及系统
专利号：201210422960.8
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-10-30
专利名称：一种脉冲射频输出功率控制反应等离子体刻蚀的方法
专利号：201210436971.1
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-11-05
专利名称：等离子处理装置及其法拉第屏蔽装置
专利号：201220309133.3
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-06-28
专利名称：等离子反应器及制作半导体基片的方法
专利号：201210431839.1
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-11-01
专利名称：半导体结构的刻蚀方法
专利号：201210567794.0
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-24
专利名称：一种通孔或接触孔的形成方法
专利号：201210560146.2
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-20
专利名称：半导体刻蚀装置及半导体刻蚀方法
专利号：201210545662.8
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-14
专利名称：反应气体供给装置
专利号：201220445219.9
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-09-03
专利名称：等离子体处理装置
专利号：201210310946.9
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-08-28
专利名称：一种增强低介电材料对TiN硬掩模刻蚀选择性的方法
专利号：201210449657.7
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-11-12
专利名称：一种过滤装置及真空处理装置
专利号：201220497885.7
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-09-26
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