专利
专利名称：反应气体混合装置及包含该装置的等离子体处理设备
专利号：201220448240.4
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-09-04
专利名称：气体混合装置以及流体混合系统
专利号：201220448524.3
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-09-04
专利名称：利用可切换功率发生器的高深宽比微结构刻蚀方法
专利号：201210552540.1
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-19
专利名称：一种摇摆式等离子体约束装置
专利号：201210480393.1
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-11-23
专利名称：等离子体反应腔清洗装置及其等离子体反应腔清洗方法
专利号：201210371965.2
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-09-29
专利名称：一种气体回流预防装置
专利号：201210371847.1
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-09-29
专利名称：半导体刻蚀装置及半导体结构的刻蚀方法
专利号：201210567793.6
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-24
专利名称：一种深硅通孔的刻蚀方法
专利号：201210464862.0
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-11-16
专利名称：降低晶圆漏电流的结构及设置该结构的等离子体处理室
专利号：201210453203.7
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-11-13
专利名称：用于TSV刻蚀中改善硅通孔侧壁粗糙度的方法
专利号：201210470510.6
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-11-20
专利名称：等离子体处理腔室及其射频匹配电路
专利号：201220705760.9
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-19
专利名称：用于等离子体处理器的磁场分布调节装置及其调节方法
专利号：201210491630.4
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-11-28
专利名称：一种用于等离子反应器的气体喷淋头
专利号：201210575314.5
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-12-26
专利名称：一种等离子体处理设备及其中的温度隔离装置
专利号：201210419716.6
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-10-29
专利名称：一种控制基座外缘聚焦环温度的组件
专利号：201220328056.6
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-07-06